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被拒绝!又回来!华为为何能打持久战?

章鹰 ? 来源:电子发烧友原创 ? 作者:章鹰 ? 2019-05-31 13:59 ? 次阅读

本站原创,作者:章鹰,电子发烧友执行副主编。

5月29日,中美两国女主播的约战点燃了海内外对中美贸易战焦点的讨论,穿着一身红衣的美国女主播翠西?里根(Trish Regan)提问非常犀利,她的一个关键问题涉及到华为——有关华为是否愿意与美国共享它的先进技术?中方主播刘欣回答道,通过合作、互相学习、美国根据规则付费,她相信这是没有问题的。中美都在彼此学习。“我通过与美国教师学习英语,现在我的工作还需要美国专家帮忙。只要我们共同合作,按法律和规矩办事,我相信这当然没有问题。”

这位代表美国一部分民意的女主播在提问中间接表达了对华为公司技术的点评:在5G这样一个关键科技领域美国人不愿意承认,但现在又不得不承认中国有华为这样一家技术领先并在全球引领市场的公司。

华为创始人任正非先生在5月27日接受彭博社记者专访时,曾表述过下列观点:

“华为现在做的东西,美国都没有做出来,我去哪里偷他的技术?……更有可能是美国来偷华为的技术差不多,因为我们目前是领先美国的。如果我们是落后的,那么特朗普也不会这么费劲打我们了。他打我们就是因为我们先进他才打嘛。” 美国最近对华为各个层面的打压,再一次证明了他对局势深刻的洞察和前瞻。

小编在这里梳理一下,最近华为在标准组织、5G芯片和软件领域所遭遇的打压,以及华为在5G产业链关键节点的最新进展,以便大家更好地了解华为为何能打持久战。

全球5G市场,华为拿下42张合同,握有20%的5G专利

5月26日,在贵阳举行的2019中国国际大数据产业博览会上,华为中国地区部总裁鲁勇表示:“中国必将拥有全球规模最大的5G网络,有能力支撑足够规模的5G场景。相信5G可以让千行百业数字化更具想象力!”

作为全球最领先的5G解决方案供应商,华为已经获得全球42个5G商用合同,5G基站发货量超过10万个,引领全球规模化商用。据了解,42份5G合同中,有25份来自欧洲、10份来自中东、6份来自亚太、1份来自非洲——即便遭遇了美国政府的阻挠、打压,华为智简的5G解决方案依然受到了广泛的欢迎。

鲁勇表示,在标准专利方面,华为共向3GPP提交了1.6万多个5G NR提案。同时,持续不断地向业界贡献5G专利,共计2570件、占比达20%,位居全球第一。

图:全球,为5G标准技术贡献最多依次是华为、爱立信、海思、诺基亚和高通

应对美国管控,华为迅速寻找供应链替代厂商

5月29日,芯片巨头高通和存储美光正式宣布,已经暂停向华为供应所有产品线,高通高管证实,高通旗下的所有产品线,包括PC、手机芯片已经停止对华为供货。之前华为创始人任正非说,华为每年采购高通近5000万套芯片,意味着华为自研的麒麟芯片要撑起一片天。美光也是暂停向华为供应内存芯片,还要求各大模组厂配合,不准将使用美光内存做成的模组、内存卡或固态硬盘等相关存储产品,直接或间接供应给华为。而有统计数据预测,2019年上半年,美光将有13%的营收来自华为。

华为在禁令生效前,已经展开了应对措施。早在2018年底,华为就开始积极向美光采购备货,而美光出货给华为的大部分需求几乎已经在2019年1~4月提前完成拉货,只要中美贸易战不至恶化成长期对抗,华为无须担忧存储器断粮问题。此外,在非美系供应上,华为移动事业部高层也在5月23~24日两天接连拜会韩系大厂,包括三星、SK海力士等,确保供应商将根据合约履行条款,提供DRAM及NAND Flash稳定供货。此外,华为作为日系大厂东芝存储器的第2大客户,目前东芝内部也倾向将配合大客户交货要求,暂时不会加入美方发起的禁售令。

最新,国内存储大厂长江存储也加快了步伐,据台湾媒体Digtimes消息,该公司64层 TLC NAND提前量产被视为内部最高机密,目前长江正从上到下进入加紧赶工阶段,长江存储内部先前预期,2019年第4季64层3D NAND将小量生产,到了2020年初可望稳定量产,近期火力全开正朝着量产目标推进,拟提前至第3季开始试量产。

目前,华为海思已经跃升为全球IC设计第四大厂商,但是最薄弱的一环是先进芯片工艺制造,这方面要依赖台积电。台积电方面日前已经在多个场合至少三次发表回应,每次都是表态不会停止与华为的合作。在台积电的2019技术论坛上,发言人孙又文再次强调台积电绝对遵照全球贸易国际法规,且公司内部设有出口管理系统。

台积电强调,台积电最重要的是与客户间的合作,无论过去、现在或未来,均诚心诚意希望客户成功,唯有客户成功,才是台积电的成功。台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术,华为海思显然是重要客户之一。

5G芯片+5G手机,华为依然占据第一波的阵营

在5G终端产业链的技术竞争当中,最为引入注目的是5G手机基带芯片竞争。5月29日,在台北国际电脑展Computex上,联发科技宣布了一款5G处理器,其集成化的全新5G移动平台内置5G调制解调器Helio M70,5大阵营的竞争格局愈发清晰。华为已经将5G手机的首发定在了6月,该公司在1月最先发布的巴龙1000将在华为5G手机中首发使用。借助华为目前的销售渠道和全球部署,5G手机将会带动基带芯片的出货量。



那些被暂停的行业组织身份都悄悄的恢复了

5月30日, 外媒发现,之前被谷歌移除的Mate 20 Pro又回来了,其继续支持最新的Android Q Beta测试版。在本月的谷歌I/O开发者大会上,谷歌官方公布了首批支持Android Q的厂商,包括谷歌Pixel、一加、传音、小米、华硕、华为、索尼、诺基亚、OPPO、LG、Essential、vivo、realme等,其中华为旗下的Mate 20 Pro可以尝鲜Android Q Beta版。坊间传闻,由于外部原因影响,谷歌虽然对华为进行了限制,但是随后限制政策进行了放宽,所以Mate 20 Pro也就重回到了这个阵营中。

而截止5月29日, WiFi联盟、蓝牙技术联盟和JEDEC协会(固态技术协会)等行业组织,均已恢复华为的成员资格。剧情反转之快,让人始料不及。

WiFi联盟官网恢复华为成员资格

5月24日,外媒报道,WiFi联盟之前表示,“WiFi联盟完全遵守最近美国商务部的命令,但并不是撤销华为技术会员资格。WiFi联盟是暂时限制了华为参与该项目所涵盖的WiFi联盟活动。”

据悉,WiFi联盟全称为国际WiFi联盟组织,成立于1999年,负责WiFi认证与商标授权的工作,主要目的是在全球范围内设定无线技术标准,推行WiFi产品的兼容认证与商标授权工作。目前,该联盟成员单位超过800家,英特尔、高通、博通、苹果都是其成员。 WiFi也是全球应用最为广泛的无线技术之一。

与此同时,之前批准和认证所有蓝牙设备的Bluetooth SIG(蓝牙技术联盟)也暂停了华为的成员资格。

蓝牙组织恢复华为成员资格

5月29日,记者从蓝牙技术联盟的官网上看得到,华为又重新出现在了其成员名单中。

资料显示,蓝牙技术源于爱立信公司,1999年,由爱立信牵头,联合IBM、英特尔、微软、摩托罗拉、诺基亚和东芝等发起成立了蓝牙技术联盟(Bluetooth SIG),总部位于美国华盛顿。除了创始成员,蓝牙联盟还拥有“200多家联盟成员公司以及约6000家应用成员企业”。

JEDEC协会已恢复华为成员资格

5月29日,澎湃新闻记者在JEDEC官网看到,华为重新成为JEDEC协会成员。

据《日经亚洲评论》5月24日报道称,JEDEC发言人说:“2019年5月17日,华为技术有限公司通知JEDEC称,它已决定自愿暂停其在JEDEC的会员资格,直到美国政府的限令被取消。”

JEDEC(固态技术协会)成立于1958年,作为电子产业协会联盟(EIA)的一部分,为新兴的半导体产业制定标准。1999年,JEDEC成为一家独立协会。促进开放性、易获取、并能迅速完成的自愿标准的制定依然是JEDEC的核心业务。JEDEC委员会在广泛的技术领域领导着产业标准制定,包括同其他组织联合制定标准。JEDEC拥有近300家会员公司,包括业内几乎所有前100家公司。

这些跨国的行业标准组织原本都持技术中立的立场,但在美国商务部5月15日把华为公司列入“实体清单”后,都迅速宣布暂停华为成员资格。一位知情人士当时表示,美国商务部命令出来后,各个协会的应急反应是暂停华为成员资格,等有关情况梳理清楚确保没有问题了就会陆续恢复华为的成员资格。

根据华为年报披露的数据显示:华为目前已经加入了全球400多个标准组织、产业联盟、开源社区,担任超过400个重要职位。2018年,华为提交标准提案超过5,000篇,累计提交近60000篇。

结语

当今世界单边主义、民粹主义、贸易保护主义抬头,但深化交流、加强合作是人心所向,互利共赢、共同发展是时代大势。华为创始人任正非就曾表示,即便今天华为遭到了美国的围堵,也不赞同中国对苹果公司采取任何措施。

美国科技国与霸凌行为,将对美国科研、创新、应用等领域产生十分深远的不利影响,阻碍美国科技研发转化为现实生产动力。经此一役,未来,中国厂商将会更加注重科技自立,在探索中曲折前进,华为经受的这类小波折无法阻挡中国科技产业成长前进的大趋势。

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评论

zhangyingwlw
今天,中国发放5G牌照,中国联通、中国移动、中国电信和广电集团获得5G牌照,中国厂商在全面加速5G商用,华为、中兴和产业链上的其他厂商都将迎接这个巨大市场的商机。5G市场的蓝海,我相信中国厂商已经有足够的技术实力和产业实力在第一波发力了。
daixinghou
如不反制,回来有可能吗?你对我关门,你永远别进我门,不谈技术,14亿人口的市场堪比核武威慑。一味委屈求全,永远被人按着头!

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BAS16XV2 开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 引线表面处理:100%哑光锡(锡) 合格回流温度:260°C 极小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
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BAS16XV2 开关二极管

BAS16T 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 可提供无铅封装* 电路图、引脚图和封装图
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BAS16T 100 V开关二极管

BAS16W 100 V开关二极管

信息开关二极管设计用于超高速开关应用。该器件采用SC-70封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 可提供无铅封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
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BAS16W 100 V开关二极管

BAS16SL 小信号二极管

信息小信号二极管 低正向压降 快速开关 非常小的薄型 最大剖面高度为0.43mm 尺寸为1.0 x 0.6mm
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BAS16SL 小信号二极管

BAS16P2 100 V开关二极管

信息 BAS16P2T5G开关二极管是我们广受欢迎的SOT-23三引线器件的衍生产品。它专为开关应用而设计,安装在SOD-923表面该封装非常适合低功率表面贴装应用,其中电路板空间非常宝贵。 极小的SOD-923封装
发表于 04-18 19:13 ? 22次 阅读
BAS16P2 100 V开关二极管

BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

信息 SOT-23封装中的开关二极管。 高 - 速度切换应用
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BAS16 (Legacy Fairchild)开关二极管,85 V 200 mA

BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

信息采用SOT-563封装的双开关二极管。 引脚表面处理:100%无光泽锡(锡) 合格回流焊温度:260°C 超小型SOD-523封装 适用于汽车和其他应用的S前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
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BAS16DXV6 双开关二极管,100 V

BAS116T 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SC-75表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 这些器件是无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准
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BAS116T 75 V开关二极管

BAS16H 100 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。 S汽车及其他应用的前缀,需要独特的现场和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
发表于 04-18 19:13 ? 36次 阅读
BAS16H 100 V开关二极管

BAS116L 75 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 低漏电流应用 中速开关时间 8 mm卷带和卷盘 - 使用BAS116LT1订购7英寸/ 3,000单位卷轴 Pb - 免费套餐。 汽车和其他应用的S前缀,需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图
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BAS116L 75 V开关二极管

BAR43 肖特基二极管

信息 BAR43 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
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BAR43 肖特基二极管

BAR43C 肖特基二极管

信息 BAR43C 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
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BAR43C 肖特基二极管

BAR43S 肖特基二极管

信息 BAR43S 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。
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BAR43S 肖特基二极管

BAL99L 70 V开关二极管

信息开关二极管专为高速开关应用而设计。该器件采用SOT-23表面贴装封装,非常适合自动插入。 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图
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BAL99L 70 V开关二极管

A5191HRT 工业HART协议调制解调器

信息 A5191HRT是一款单芯片CMOS调制解调器,适用于高速公路可寻址远程传感器(HART)现场仪表和主机。调制解调器和一些外部无源组件提供满足HART物理层要求所需的所有功能,包括调制,解调,接收滤波,载波检测和发送信号整形。 A5191HRT与SYM20C15引脚兼容。有关引脚与SYM20C15兼容性的详细信息,请参见引脚说明和功能描述部分。 A5191HRT使用每秒1200位的相位连续频移键控(FSK)。为了节省功率,接收电路在发送操作期间被禁用,反之亦然。这提供了HART通信中使用的半双工操作。 低功耗 Bell 202移位频率为1200 Hz和2200 Hz 单芯片,半 - 双工1200比特FSK调制解调器 发送信号波形整形 接收带通滤波器 满足HART物理层要求 CMOS兼容 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 34次 阅读
A5191HRT 工业HART协议调制解调器

CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留< / li> 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...
发表于 04-18 19:13 ? 38次 阅读
CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护< / li> - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
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CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...
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CAT25160 16-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器

信息 MC10 / 100EP32是一个集成的2分频器,具有差分CLK输入。 V 引脚是内部产生的电源,仅适用于该器件。对于单端输入条件,未使用的差分输入连接到V 作为开关参考电压。 V 也可以重新连接AC耦合输入。使用时,通过0.01μF电容去耦V 和V ,并限制电流源或吸收至0.5mA。不使用时,V 应保持开路。复位引脚是异步的,并在上升沿置位。上电时,内部触发器将达到随机状态;复位允许在系统中同步多个EP32。 100系列包含温度补偿。 350ps典型传播延迟 最大频率> 4 GHz典型 PECL模式工作范围:V = 3.0 V至5.5 V V = 0 V NECL模式工作范围:V = 0 V ,其中V = -3.0 V至-5.5 V 打开输入默认状态< / li> 输入安全钳位 Q输出打开或V 无铅封装可用时默认为低电平 < / DIV>...
发表于 04-18 19:13 ? 38次 阅读
MC10EP32 3.3 V / 5.0 V ECL÷·2分频器